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Diseñado para realizar tratamientos térmicos en vacío, gas inerte, atmósferas reductoras u oxidantes, garantizando un control preciso y estable de la temperatura durante todo el proceso.
Nuestros hornos tubulares de laboratorio están diseñados para proporcionar entornos de calentamiento estables y uniformes para una amplia gama de necesidades experimentales. Disponibles en varias configuraciones, incluidos los modelos de una zona, varias zonas, de tipo dividido y de carga vertical, estos hornos permiten un control preciso de la temperatura y son adecuados tanto para pruebas de materiales a pequeña escala como para aplicaciones de investigación continua.
Horno tubular de tres zonas con control independiente de la velocidad de alimentación de material y la rotación del tubo (1-15 RPM). El diseño de carga manual simplifica el procesamiento de lotes de hasta 1200℃.
Control de temperatura de triple zona para perfiles térmicos avanzados Cámara de apertura superior dividida para facilitar el mantenimiento y un funcionamiento seguro La inclinación y rotación ajustables garantizan un calentamiento uniforme y un flujo suave del material Controles giratorios fáciles de usar tanto en laboratorio como a escala de producción
Horno tubular basculante multiestación de alta eficacia para el tratamiento paralelo de materiales. Con inclinación ajustable y diseño de tubo giratorio para un tratamiento térmico uniforme. Ideal para la investigación de catalizadores y la síntesis de lotes pequeños.
Un puente entre la investigación de laboratorio y la producción industrial con calefacción independiente de 3 zonas + rotación/inclinación ajustable. Perfecto para I+D de materiales (gradientes de 300-700℃) y funcionamiento automatizado 24/7.
Avanzado horno tubular multizona con control independiente de la temperatura para la investigación de materiales, con perfiles de calentamiento personalizables y distribución térmica uniforme.
Horno tubular profesional CVD multizona con sistema de control de gas integrado, con uniformidad de temperatura de ±1℃ y flujo de gas programable para la deposición precisa de películas finas. Ideal para grafeno, recubrimientos semiconductores y síntesis de nanomateriales.
